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您是否正在为高功率应用寻找一颗既能“扛得住”又能“跑得快”的功率开关？STWA63N65DM2正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh DM2系列的650V/60A N沟道MOSFET，凭借其极低的50毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的系统整体效率，让电能转换更加“清凉”高效。

它拥有快速的开关性能（栅极电荷仅120nC）和强大的散热能力（功率耗散高达446W），让您轻松应对高频开关电源、电机驱动等严苛场景。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和坚固的TO-247封装，确保了在各种环境下都能稳定运行，极大提升了您最终产品的可靠性和耐用性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的核心。

• 型号:STWA63N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA63N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。