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您正在设计一款需要处理高电压、大电流的电源或驱动系统吗？面对效率提升和散热管理的双重挑战，STWA57N65M5正是为您而来的得力助手。这颗基于先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和高达42A的连续电流处理能力，让您轻松驾驭严苛的功率应用环境。

它的核心价值在于卓越的能效表现。极低的导通电阻（仅63毫欧）意味着在导通状态下能量损耗被大幅降低，直接帮助您的系统减少发热、提升整体效率。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您能够设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑，从而在功率密度上赢得优势。

无论是工业电机驱动、服务器电源，还是太阳能逆变器，STWA57N65M5都能以其250W的强大散热能力和150°C的高结温，提供稳定可靠的长久运行保障。选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与高性能的完美结合。

• 型号:STWA57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。