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您正在为高压、高功率应用寻找一颗既强悍又可靠的开关核心吗？STWA50N65DM2AG正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和38A的连续电流能力，能轻松应对严苛的工业与汽车环境，让您的电源转换、电机驱动或光伏逆变系统运行得更稳定、更高效。

它的核心价值在于卓越的能效表现。极低的导通电阻（仅87mΩ）与优化的栅极电荷，共同大幅降低了开关损耗和导通损耗，直接帮助您提升系统整体效率，减少散热需求。同时，其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，以及宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品无与伦比的坚固性和长寿命，让您在设计高可靠性产品时充满信心。

• 型号:STWA50N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA50N65DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。