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您正在寻找一颗能同时驾驭高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STGW15S120DF3正是您理想的解决方案。这颗1200V/15A的沟槽型场截止IGBT，旨在让您的电源转换或电机驱动系统效率飞升。其低至2.05V的导通压降和优化的开关特性（开启23ns，关断140ns），能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统能效，让热量管理更轻松，系统运行更凉爽。

它集成了高达30A的连续电流处理能力和60A的脉冲能力，配合1200V的高耐压，为您应对工业级应用的电压电流冲击提供了坚固屏障。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了极端环境下的稳定表现。选择它，就是为您的下一个高效、紧凑且可靠的功率设计，注入一颗强劲而智慧的核心。

• 型号:STGW15S120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:540J（导通），1.38mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:53 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/140ns
• 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):270 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW15S120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。