我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STWA48N60M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压大电流应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STWA48N60M2是您的理想解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和42A的强大电流承载能力，其极低的70毫欧导通电阻（@10V, 21A）能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、工业变频器、UPS等严苛应用。优异的开关特性（Qg仅70nC）与高功率处理能力（300W），结合TO-247封装出色的散热性能，共同保障了系统在高温环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STWA48N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA48N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。