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面对650V高压平台的功率转换挑战，您需要一颗既能扛住电压，又能流畅开关的核心器件。STF20NM65N N沟道功率MOSFET正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，旨在让您轻松实现高效、低损耗的电源设计。

这颗芯片能为您做什么？它拥有高达15A的连续电流处理能力，配合极低的导通电阻，显著降低导通损耗，提升整体能效。优化的栅极电荷和开关特性，让驱动更简单，开关更迅速，有助于缩小系统体积并降低电磁干扰。其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围，确保它在严苛的工业环境中也能稳定可靠地运行，是打造耐用电力电子设备的理想选择。

• 型号:STF20NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1280 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。