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您正在寻找一颗能扛起高功率重任，同时保持冷静与高效的MOSFET吗？STWA40N90K5正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh K5技术打造，拥有900V的漏源电压和40A的连续漏极电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源系统时，轻松应对高压大电流的严苛挑战。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。极低的导通电阻（最大值99毫欧）意味着更少的导通损耗和发热，而优化的栅极电荷（89nC）则确保了快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗。这一切都直接转化为更高的系统效率、更小的散热器需求和更紧凑的产品设计，让您的终端产品在性能和可靠性上脱颖而出。

此外，其坚固的TO-247封装和高达446W的功率耗散能力，为您提供了强大的热管理余量和长期运行稳定性。选择STWA40N90K5，就是为您的功率系统注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 型号:STWA40N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA40N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。