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还在为寻找一颗能同时驱动高压侧与低压侧、响应迅捷且稳定可靠的栅极驱动器而烦恼吗？让L6389EDTR来为您解决！这颗来自意法半导体的半桥驱动器，专为高效控制IGBT和MOSFET而设计。

它能让您轻松驾驭高达600V的电压平台，并以强劲的650mA拉出电流和400mA灌入电流，确保功率开关的快速导通与关断。其极短的开关时间显著降低了损耗，提升整体系统效率。无论是电机驱动、电源转换还是照明应用，L6389EDTR都能以简洁的反相输入逻辑和宽温工作特性，助您构建更紧凑、更高效、更可靠的电源管理解决方案。

• 型号:L6389EDTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道，P 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6389EDTR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。