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还在为高压电源设计的效率瓶颈而烦恼吗？让STWA20N95K5为您开启高效节能的新篇章！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达950V的漏源击穿电压和17.5A的连续电流能力，是您应对严苛功率应用的理想选择。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。超低的330毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了极低的开关损耗，双管齐下，大幅提升系统整体能效。同时，其坚固的TO-247封装和强大的散热能力，让您轻松应对高功率密度设计带来的热管理挑战，确保系统长期稳定运行。

• 型号:STWA20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA20N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。