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还在为高压大电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？STD11NM60ND正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集600V高耐压与10A大电流能力于一身，专为 demanding 应用而设计。

它采用先进的FDmesh II技术，实现了超低的导通电阻（典型值450mΩ），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。同时，其优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关性能，进一步提升了整体能效。无论是用于开关电源、UPS还是工业控制，它都能让您轻松应对高功率挑战，提升产品竞争力。

• 型号:STD11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。