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在追求极致能效与可靠性的功率电子世界，您需要一颗怎样的“心脏”？STGFW20V60DF就是您的答案。这颗来自意法半导体的600V/40A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，旨在让您轻松驾驭高功率应用。

它能为您实现高效的能量转换，其低至2.2V的导通压降和优化的开关特性（200J开启，130J关断），显著降低了系统损耗，提升了整体效率。无论是驱动工业电机、构建可靠的UPS，还是用于新能源领域，它宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和52W的功率处理能力，都确保了您的设计在各种严苛环境下稳定运行，助您打造出更强劲、更耐用的终端产品。

• 型号:STGFW20V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3PF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:52 W
• 开关能量:200J（导通），130J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:116 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns
• 测试条件:400V，20A，15V
• 反向恢复时间 (trr):40 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 供应商器件封装:TO-3PF
• STGFW20V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。