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您正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STW8N90K5正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和8A的连续电流能力，让您轻松应对工业电源、电机驱动等高压大电流应用的严苛需求。

它的核心价值在于卓越的能效。优化的技术平台实现了更低的导通电阻和栅极电荷，这意味着在开关过程中损耗更小，发热更低。您将获得更高的系统效率，同时简化散热设计，有效降低整体方案成本。其坚固的TO-247-3封装和130W的功率耗散能力，确保了在-55°C到150°C的极端温度下的长期稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。

• 型号:STW8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW8N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。