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您正在寻找一颗能在高压应用中担当重任、同时保持高效与可靠的核心功率开关吗？STU8N65M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和7A的连续电流能力，专为要求严苛的电源转换和电机控制场景设计。

它采用了ST先进的MDmesh V技术，能够显著降低导通电阻和栅极电荷，从而大幅减少开关损耗和导通损耗。这意味着它能帮助您的系统轻松实现更高的能效，运行温度更低，整体可靠性更强。其坚固的IPAK通孔封装和宽泛的工作温度范围，让您能够从容应对各种复杂的应用环境，高效构建稳定而强大的电力核心。

• 型号:STU8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。