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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的“硬核”开关吗？STW80NF55-08正是为您而来！这颗N沟道功率MOSFET拥有55V耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流电源或电机驱动应用中，它能显著降低导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量，直接助力提升系统整体能效。

同时，其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，让开关过程更加干净利落，进一步减少开关损耗。无论是用于提升现有设计的效率，还是构建更紧凑、功率密度更高的新平台，STW80NF55-08都能让您的工作更加轻松高效。它就像一位沉默而强大的动力引擎，确保您的设备运行更稳定、更凉爽、更持久。

• 型号:STW80NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW80NF55-08，ST（意法半导体）产品一站式供应商。