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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色热管理的功率开关管吗？STB6NM60N正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和4.6A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅920毫欧）和优化的栅极电荷（Qg），让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

基于ST先进的MDmesh II技术，它能在高频开关应用中显著降低开关损耗，提升整体系统效率。其坚固的D2PAK封装确保了卓越的功率耗散能力（高达45W），配合-55°C至150°C的宽广工作结温，让您的产品在面对复杂工况时依然稳定可靠。选择它，就是为您的功率转换核心选择了一位高效、耐用的“执行者”。

• 型号:STB6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。