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还在为功率开关的效率瓶颈而头疼吗？STW80NE06-10就是您的高效能量闸门。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通损耗在10V驱动下，导通电阻仅10毫欧，能显著减少开关过程中的热量产生，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它采用坚固的TO-247-3封装，散热性能优异，最大结温高达175°C，确保在严苛环境下稳定工作。无论是提升现有设备的能效，还是为高功率设计注入强劲动力，STW80NE06-10都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制，简化您的设计挑战。

• 型号:STW80NE06-10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW80NE06-10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。