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您正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率、同时保持系统稳定可靠的核心开关器件吗？STF11N65M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和仅670毫欧的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它具备7A的连续电流能力，结合优化的栅极电荷特性，可实现快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗，让您轻松应对高频设计挑战。无论是用于功率因数校正、反激式转换器还是电机控制，STF11N65M2都能让您的系统效率迈上新台阶，同时其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围确保了在苛刻环境下的长久耐用性。

• 型号:STF11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。