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您正在寻找一颗能同时征服高压与高效挑战的功率开关吗？STW7N90K5 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh K5技术，拥有900V的惊人耐压和7A的持续电流能力，专为 demanding 的应用而设计。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计，如服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器，运行得更加“冷静”且高效。其核心技术显著降低了导通和开关损耗，这意味着更少的能量浪费和更低的发热，直接帮助您提升系统整体效率，轻松应对严格的能效法规。同时，其坚固的封装和宽温度范围确保了卓越的长期可靠性。

选择STW7N90K5，就是选择了一个经过验证的高性能解决方案。它让您能够以更简洁的设计，实现更强大的功率输出和更稳定的性能，助您快速将创新、可靠的产品推向市场。

• 型号:STW7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW7N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。