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它能为您做什么？简而言之，它让您轻松驾驭电能转换。在开关电源、功率因数校正、电机驱动等电路中，STB6N65K3扮演着高效、可靠的开关角色，显著提升系统整体能效和稳定性。其稳健的DPAK封装设计，更确保了在复杂环境下的持久耐用，助您打造出性能出众且寿命长久的终端产品。

• 制造商产品型号：STB6N65K3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• STB6N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。