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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STW77N65M5正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和高达69A的连续电流处理能力，旨在让您轻松驾驭服务器电源、工业驱动及新能源等高要求场景。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：仅38mΩ的超低导通电阻能大幅削减导通损耗，提升系统整体能效；同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关行为，有效降低开关损耗和电磁干扰。这一切都集成在经典的TO-247-3封装内，配合强大的散热能力，让您的设计不仅高效，而且无比可靠。

• 型号:STW77N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 34.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW77N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。