我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW70N60M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾高电压、大电流与超低损耗的功率开关而烦恼吗？STW70N60M2就是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和高达68A的连续电流能力，其核心价值在于采用先进的MDmesh II Plus技术，实现了惊人的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它能让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等高要求应用。优化的动态特性有助于减少开关损耗，提升系统频率，从而让您的设计更紧凑。高达450W的功率处理能力和宽温度范围，确保了卓越的可靠性与耐用性，是您构建高性能、高可靠性功率电路的坚实基石。

• 型号:STW70N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。