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您正在设计一款需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动设备吗？STW70N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和高达66A的连续电流能力，能轻松胜任服务器电源、工业驱动、新能源逆变等苛刻应用中的主开关角色。

它的核心价值在于卓越的效率。极低的导通电阻（42mΩ）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷特性则显著降低了开关损耗，让您的系统整体能效大幅提升，发热更少，运行更稳定。同时，其坚固的TO-247封装和宽工作温度范围，确保了在复杂环境下的长期可靠性。选择STW70N60DM2，就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力。

• 型号:STW70N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。