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STGB8NC60KDT4 零件图片(仅供参考)

STGB8NC60KDT4
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STGB8NC60KDT4 规格参数

在追求极致能效的今天,您是否渴望一颗能同时降低损耗、提升可靠性的功率开关解决方案?STGB8NC60KDT4正是为此而生。它集成了意法半导体先进的PowerMESH技术,以600V/15A的强劲规格,为您的高压电机驱动、电源转换等应用提供坚实的核心动力。

这颗芯片能为您做什么?它通过仅2.75V的低导通压降和优异的开关特性,显著减少能量损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),更能确保它在各种严苛环境下稳定工作,极大提升您最终产品的耐用性和市场竞争力。

  • 型号:STGB8NC60KDT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 15A 65W D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值:65 W
  • 开关能量:55J(导通),85J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:19 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns
  • 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):23.5 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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STGB8NC60KDT4 基本参数:

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