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还在为高压大电流开关应用中的效率损失和散热难题头疼吗？让STW69N65M5来为您解决！这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V高压和58A大电流承载能力，其核心价值在于极低的45毫欧导通电阻。这直接意味着，在您的电源、电机驱动或光伏逆变器中，它能显著降低导通损耗，让更多电能高效转化为有用功，而非恼人的热量。

同时，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更加迅速、干净，进一步削减开关损耗，提升系统整体频率和功率密度。采用坚固的TO-247封装，确保出色的散热性能，让您的设计即使在150°C的结温下也能稳定运行。选择STW69N65M5，就是选择让您的产品轻松实现更高效率、更小体积和更强可靠性，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STW69N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 29A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:143 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6420 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW69N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。