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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STP110N8F7成为您破局的关键！这颗基于先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有80V/80A的强悍规格，其核心魅力在于低至7.5毫欧的超低导通电阻。这意味着它能大幅减少导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它能让您的电源设计更高效、更紧凑。极低的栅极电荷确保了快速的开关性能，有助于提升整体频率响应并降低开关损耗。无论是用于电机驱动、电源转换还是功率开关，STP110N8F7都能提供稳定可靠的性能，其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），让您轻松应对各种严苛环境，打造出更具市场竞争力的高可靠性产品。

• 型号:STP110N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N8F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。