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还在为射频功率放大电路的效率与稳定性烦恼吗？让PD85025-E为您彻底解决难题！这颗来自ST意法半导体的高性能LDMOS射频晶体管，专为870MHz频段优化，能轻松将微小信号放大至10W的强大功率输出，同时提供高达17.3dB的增益，让您的系统设计更简洁，信号传输更有力。

它采用先进的PowerSO-10RF封装，散热性能优异，结合40V的高耐压与7A的电流能力，确保在严苛环境下依然高效稳定工作。选择它，就是为您的专业无线通信设备（如PMR、基站等）注入一颗强劲而可靠的核心，让产品性能飞跃，赢得市场先机。

• 型号:PD85025-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD85025-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。