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您正在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流，并保持冷静高效的功率开关吗？STW56N65DM2正是为您而来的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和48A的强劲电流吞吐能力，其核心价值在于MDmesh DM2技术带来的革命性低损耗导通电阻低至65毫欧，让电能传输无比顺畅，显著减少发热，直接提升您的系统效率。

它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、新能源逆变器等高端应用的严苛要求。优异的开关特性（栅极电荷仅88nC）与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了系统在高频运行下的稳定与可靠。选择STW56N65DM2，就是为您的产品注入一颗高效、强健的“心脏”，让设计更简单，让性能更出众。

• 型号:STW56N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。