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STGWA25S120DF3 零件图片(仅供参考)

STGWA25S120DF3
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STGWA25S120DF3 规格参数

您是否希望为您的功率转换系统找到一颗兼具高耐压、低损耗与快速开关能力的核心?STGWA25S120DF3正是您理想的解决方案。这颗来自ST意法半导体的1200V/25A IBT,采用先进的沟槽型场截止技术,能为您带来高达375W的功率处理能力和仅2.1V的低导通压降,显著提升系统效率,减少发热。

它能让您轻松应对电机驱动、UPS和光伏逆变器等应用中的高压大电流挑战。其优化的开关特性(开启能量仅830J)和快速的开关速度,确保了高效、洁净的能量转换,让您的设计更紧凑,性能更卓越。选择它,就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

  • 型号:STGWA25S120DF3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:375 W
  • 开关能量:830J(导通),2.37mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:80 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:31ns/147ns
  • 测试条件:600V,25A,15欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):265 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • STGWA25S120DF3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGWA25S120DF3 基本参数:

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