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您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机控制方案吗？STW55NM60N就是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，能轻松驾驭600V电压和51A电流，其核心魅力在于极高的效率超低的导通电阻能显著减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它能让您的高功率应用，如工业电机驱动、UPS和焊接设备，实现更快速、更干净的开关动作。高达350W的功率耗散能力和坚固的TO-247封装，确保了它在严苛环境下的长期稳定工作。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STW55NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW55NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。