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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和易驱动的功率MOSFET而烦恼吗？STV300NH02L正是为您量身打造的解决方案。这颗来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，拥有200A的强大电流处理能力和低至1毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，让电能转换效率大幅提升。

它让您轻松应对高密度电源、电机驱动等应用的严苛要求。其优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速干净的开关特性，简化您的驱动设计。采用紧凑的10-PowerSO封装，帮助您在有限空间内实现更高的功率密度。选择STV300NH02L，就是选择高效、可靠与卓越性能的完美结合。

• 型号:STV300NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV300NH02L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。