我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGF4M65DF2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为提升系统效率而绞尽脑汁吗？让STGF4M65DF2来为您解决难题！这颗来自ST意法半导体的650V沟槽型场截止IGBT，集高性能与高可靠性于一身。它凭借仅2.1V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低您电源转换方案中的导通与开关损耗，直接帮助您提升整机效率，并简化散热设计。

无论是驱动电机、管理太阳能电力，还是构建可靠的不断电系统，它8A的持续电流和16A的脉冲电流能力都游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了在恶劣环境下依然稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效、耐用的核心动力，让您轻松应对能效挑战，赢得市场先机。

• 型号:STGF4M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
• 功率 - 最大值:23 W
• 开关能量:40J（导通），136J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:15.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
• 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):133 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF4M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。