我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW4N150现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要应对上千伏电压挑战的电源或驱动系统吗？STW4N150正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的1500V耐压和4A电流处理能力，核心使命就是让您在高压应用中所向披靡。

它基于先进的PowerMESH技术打造，导通电阻表现优异，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作快速而精准，轻松实现高效节能的功率转换。高达160W的耗散功率和宽泛的工作温度范围，确保了它在最严苛的环境下也能稳定运行，极大增强了您产品的可靠性和耐用性。

• 型号:STW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW4N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。