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还在为射频功放设计的效率与线性度难以兼得而烦恼吗？让PD57030-E为您带来颠覆性的解决方案。这颗来自ST意法半导体的射频功率MOSFET，专为945MHz频段优化，能轻松输出高达30W的稳定功率，其14dB的高增益让您的驱动级设计变得前所未有的简单高效。

它采用先进的LDMOS技术，具备65V的高耐压和4A的电流能力，确保在严苛的工业与通信环境中依然表现卓越。PowerSO-10封装配合裸露焊盘，让散热管理更轻松，系统可靠性大幅提升。选择它，就是选择让您的产品在性能、稳定性和成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:PD57030-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:30W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57030-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。