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还在为如何平衡电源系统的高效率与高可靠性而烦恼吗？让STW48NM60N来为您解决难题！这颗来自意法半导体MDmesh II家族的600V/44A N沟道MOSFET，凭借其革命性的70毫欧超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关。其优化的栅极电荷（124nC）和快速开关特性，让您能够轻松设计出更高频率的电源拓扑，从而使用更小的电感和变压器，有效缩小整体方案体积，提升功率密度。无论是服务器电源、工业驱动还是新能源设备，它都能让您的设计脱颖而出，以卓越的稳定性和能效表现赢得市场。

• 型号:STW48NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 44A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:124 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4285 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW48NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。