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您正在为高压电源转换寻找一颗性能强悍、稳定可靠的“开关”吗？STW13N95K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和10A的电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或光伏逆变器时，轻松应对高压挑战，为系统奠定坚实的安全基础。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际效能。其优化的850毫欧导通电阻与仅51nC的低栅极电荷完美结合，能显著降低导通与开关损耗，从而提升整体系统效率，让您的设备运行更节能、发热更少。TO-247-3封装提供了卓越的散热路径，确保芯片在高达190W的功率下依然稳定工作。选择STW13N95K3，就是选择让您的产品在效率、可靠性和功率密度上获得全面升级。

• 型号:STW13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。