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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？STW48N60M2-4正是您的理想之选。这颗基于MDmesh M2技术的600V/42A MOSFET，凭借其极低的70毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率轻松跃升。

它拥有优化的动态特性，帮助您有效管理开关损耗和电磁干扰，确保系统运行更安静、更稳定。高达300W的功率处理能力和坚固的TO-247-4L封装，让您在设计高功率密度应用时信心十足，轻松应对严苛的工作环境挑战。

• 型号:STW48N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW48N60M2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。