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还在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STL16N65M5 N沟道MOSFET正是您的理想答案。它凭借650V的漏源电压和12A的连续电流能力，让您轻松应对工业电源、电机控制等严苛应用中的功率切换挑战。

这颗芯片的核心魅力在于其MDmesh V技术带来的极低导通损耗。仅299毫欧的导通电阻，意味着电能可以更高效地传输，显著减少发热，提升系统整体能效。同时，其优化的栅极电荷和开关特性，让您的设计在追求高速开关时也能保持稳定与低损耗。

采用先进的PowerFlat HV表面贴装封装，STL16N65M5在提供卓越散热性能（最高结温150°C）的同时，大幅节省了电路板空间。选择它，就是为您的产品注入了高效、紧凑与可靠的核心动力。

• 型号:STL16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL16N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。