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您正在寻找一颗能同时驾驭650V高压与45A大电流，且运行高效、稳定可靠的功率开关吗？STW45NM60正是为您而来。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有低至110毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，提升系统整体能效，让您的电源或电机驱动设计更节能、更凉爽。

它具备高达417W的强劲功率处理能力和150°C的结温，确保在重载和高温环境下依然稳健。优化的栅极电荷与开关特性，让您能轻松设计驱动电路，实现快速、高效的功率切换。选择它，就是为您的产品选择了一份高性能与高可靠性的双重保障。

• 型号:STW45NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:134 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。