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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题困扰吗？STW45NM50FD这颗N沟道功率MOSFET，就是为您破局而来的利器。它基于意法半导体先进的FDmesh技术，拥有500V的漏源电压和45A的连续电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或新能源逆变器时，能够轻松驾驭高功率场景。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行更高效、更凉爽。其极低的导通电阻（典型值）显著减少了功率损耗，而优化的动态参数有助于提升开关频率，从而缩小磁性元件体积，实现更高的功率密度。无论是追求极致的能源转换效率，还是需要设备在恶劣环境下稳定工作，STW45NM50FD都能提供可靠的核心开关解决方案，助您轻松构建高性能、高可靠性的电力电子系统。

• 型号:STW45NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45NM50FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。