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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持极低损耗的功率开关？STW45N60DM6正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和30A的电流处理能力，其核心魅力在于仅99毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更令人惊喜的是，它通过优化栅极电荷（Qg）至仅44nC，实现了快速、干净的开关特性，大幅降低了开关过程中的能量损失。这让您在设计高频高效电源时，能够轻松提升整体能效，同时简化散热设计。无论是工业驱动、UPS还是充电桩应用，STW45N60DM6都能让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STW45N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1920 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。