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还在寻找那颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STW43NM60N正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的MDmesh II技术，以低至88毫欧的导通电阻，大幅削减传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和35A的强劲电流吞吐能力，能轻松驾驭工业驱动、UPS等领域的严苛需求。其优化的动态参数有助于提升开关频率，让您的设计在追求高效率的同时，也能实现更小的体积与更低的系统成本。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STW43NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW43NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。