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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和超低损耗的“全能型”功率开关吗？STP22N60M6正是为此而生。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和15A的强大电流处理能力，专为提升您的电源转换效率而设计。

它的核心价值在于，通过极低的230毫欧导通电阻和仅20nC的栅极电荷，大幅降低了导通与开关过程中的能量损耗。这意味着，在您的服务器电源、电机驱动或照明镇流器应用中，它能显著减少发热，提升系统整体能效，让您的产品运行更凉爽、更持久、更可靠。选择它，就是为您的设计注入高效与稳定的强大基因。

• 制造商产品型号：STP22N60M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 15A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：230 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：800pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：130W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP22N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。