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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STW40N90K5正是为此而生。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的惊人耐压和40A的连续电流能力，其核心优势在于仅99毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS等应用中，它能大幅降低导通损耗，直接提升系统整体效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

不仅如此，它卓越的开关特性与高达446W的功率耗散能力，让您能轻松应对严苛的功率切换任务，同时确保系统的稳定与可靠。选择STW40N90K5，就是为您的设计注入强劲且高效的动力核心，助您轻松构建更具市场竞争力的高性能电源解决方案。

• 型号:STW40N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。