我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW40N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的高压MOSFET？STW40N65M2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的器件，拥有650V耐压和32A的连续电流能力，其核心价值在于让您的电源转换和电机控制应用运行得更“冷静”、更高效。

它通过极低的导通电阻（典型值99mΩ）大幅减少导通损耗，同时优化的动态参数帮助您轻松降低开关损耗，从而提升系统整体能效。TO-247封装提供了强大的散热路径，结合其高结温特性，确保设备在持续高负荷或环境温度波动时依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的强大“功率心脏”。

• 型号:STW40N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。