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您正在寻找一颗能同时征服高效率、高功率密度和高可靠性挑战的“心脏”吗？STW62N65M5正是为此而生。这颗650V/46A的N沟道MOSFET，采用意法半导体先进的MDmesh V技术，能为您带来前所未有的性能体验。

它的核心价值在于，让您的电源系统运行得更“冷静”、更高效。极低的49毫欧导通电阻直接减少了能量在传导过程中的浪费，而优化的动态特性则显著降低了开关损耗。这意味着，无论是用于服务器电源、太阳能逆变器还是电动汽车充电装置，它都能帮助您轻松提升整体能效，减少散热设计压力，从而打造出更紧凑、更可靠的终端产品。

此外，它拥有汽车级（AEC-Q101）的卓越品质和高达330W的功率处理能力，确保您的设计即使在最严苛的环境下也能稳定工作。选择STW62N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“芯”。

• 型号:STW62N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6420 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW62N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。