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还在为高压、高可靠性应用寻找一颗“扛得住”的开关管吗？STW3N150正是您期待的答案。这颗来自ST的N沟道MOSFET，拥有惊人的1500V耐压和2.5A连续电流能力，专为应对严苛的电压环境而设计。

它采用先进的PowerMESH技术，为您带来极低的导通电阻（仅9欧姆）和优化的开关特性。这意味着它能显著降低系统的传导与开关损耗，让您的太阳能逆变器、UPS或工业电源实现更高能效。其坚固的TO-247封装和140W的强大散热能力，确保它在高温环境下依然稳定工作，让您的设计轻松应对持久高负荷运行的挑战。

• 型号:STW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW3N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。