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STD50NH02LT4 零件图片(仅供参考)

STD50NH02LT4
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STD50NH02LT4 规格参数

您正在寻找一颗能“扛大任”且“省能量”的功率开关吗?STD50NH02LT4正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有24V的耐压和高达50A的连续电流处理能力,但其真正的魅力在于惊人的低导通电阻(最低仅10.5毫欧),这意味着在您的大电流应用中,它能大幅降低开关损耗,让电能转换更高效,系统发热更少。

它基于ST先进的STripFET III技术,采用紧凑的DPAK封装,却提供了卓越的功率密度。仅需5V-10V的驱动电压,它就能完全开启,让您的驱动电路设计变得简单而高效。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关,它都能让您的产品性能更加稳定可靠,轻松应对高负荷挑战。

  • 型号:STD50NH02LT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):24 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.5 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):60W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD50NH02LT4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD50NH02LT4 基本参数:

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