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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持敏捷开关响应的“能量开关”吗？STW38NB20正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有200V的坚固耐压和38A的强大电流吞吐能力，专为 demanding 的功率应用而设计。

它采用ST先进的PowerMESH技术，实现了极低的导通电阻（典型值65mΩ@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。TO-247-3封装提供了优异的散热路径，结合其高功率处理能力，让您轻松应对持续的高负荷工作挑战，提升终端产品的可靠性和使用寿命。

• 型号:STW38NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW38NB20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。