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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？STW35N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的650V/27A N沟道MOSFET，拥有低至98毫欧的优异导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅参数强悍，更注重实际性能。优化的栅极电荷和电容特性让开关过程干净利落，有效减少开关损耗，提升整体能效。高达160W的耗散功率和150°C的结温，赋予了它卓越的可靠性和散热能力，即使面对严苛的工业环境也能从容应对。选择STW35N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏，轻松实现性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STW35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW35N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。