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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关吗？STP18N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的600V N沟道MOSFET，拥有低至280毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关电源和电机驱动应用中的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

它具备13A的连续电流能力和坚固的TO-220封装，确保在高功率场景下依然稳定可靠。极低的栅极电荷让驱动设计更轻松，帮助您简化电路、提升开关频率，从而打造出更紧凑、更高效的终端产品。选择STP18N60M2，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:STP18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。